Infineon Technologies - IRLS4030-7PPBF

KEY Part #: K6407088

IRLS4030-7PPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8629पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.92184
  • 10 pcs$2.60894
  • 100 pcs$2.13942
  • 500 pcs$1.73240
  • 1,000 pcs$1.46106

भाग संख्या:
IRLS4030-7PPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLS4030-7PPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRLS4030-7PPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 190A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 140nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 11490pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 370W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK (7-Lead)
प्याकेज / केस : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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