BUK9E06-55B,127 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [49पीसी स्टक]
- 5,000 pcs$0.30196
- भाग संख्या:
- BUK9E06-55B,127
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
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BUK9E06-55B,127 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BUK9E06-55B,127
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
75A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
5.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
60nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±15V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7565pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
258W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
I2PAK
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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