SCTWA50N120 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3254पीसी स्टक]
- 1 pcs$13.31107
- 600 pcs$11.70018
- भाग संख्या:
- SCTWA50N120
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics SCTWA50N120 electronic components. SCTWA50N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTWA50N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCTWA50N120 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SCTWA50N120
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
65A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
122nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) :
+25V, -10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1900pF @ 400V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
318W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
HiP247™
प्याकेज / केस :
TO-247-3
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