Transphorm - TP65H035WS

KEY Part #: K6398636

TP65H035WS मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4802पीसी स्टक]

  • 1 pcs$9.02045

भाग संख्या:
TP65H035WS
निर्माता:
Transphorm
विस्तृत विवरण:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WS उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TP65H035WS
निर्माता : Transphorm
वर्णन : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 46.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 12V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.8V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 156W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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