Infineon Technologies - IRF40DM229

KEY Part #: K6409101

IRF40DM229 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [99089पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.59330
  • 4,800 pcs$0.59035

भाग संख्या:
IRF40DM229
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF40DM229 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF40DM229
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF
श्रृंखला : StrongIRFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 159A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.85 mOhm @ 97A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5317pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DirectFET™ Isometric MF
प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric MF

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