भाग संख्या :
SI2336DS-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15nC @ 8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
560pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3 (TO-236)
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3