Nexperia USA Inc. - PMZB1200UPEYL

KEY Part #: K6421665

PMZB1200UPEYL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1418494पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02608
  • 10,000 pcs$0.02283

भाग संख्या:
PMZB1200UPEYL
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V SOT883.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB1200UPEYL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMZB1200UPEYL
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET P-CH 30V SOT883
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 410mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 43.2pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN1006B-3
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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