SQJ560EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [144991पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.25510
- भाग संख्या:
- SQJ560EP-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3 electronic components. SQJ560EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ560EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ560EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQJ560EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1650pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
34W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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- SI4650DY-T1-E3
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- SI4967DY-T1-GE3
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- MMDF2P02ER2G
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