IXYS - IXFN110N85X

KEY Part #: K6393194

IXFN110N85X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2005पीसी स्टक]

  • 1 pcs$23.76729
  • 10 pcs$22.22682
  • 100 pcs$19.27166

भाग संख्या:
IXFN110N85X
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN110N85X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFN110N85X
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 850V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 110A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 33 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5.5V @ 8mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 425nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 17000pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1170W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227B
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC

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