IPN60R360P7SATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [198601पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.18624
- 3,000 pcs$0.16762
- भाग संख्या:
- IPN60R360P7SATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPN60R360P7SATMA1 electronic components. IPN60R360P7SATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN60R360P7SATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPN60R360P7SATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPN60R360P7SATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
श्रृंखला :
CoolMOS™ P7
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 140µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
555pF @ 400V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-SOT223
प्याकेज / केस :
TO-261-3
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