STH275N8F7-6AG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [31798पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.29610
- 1,000 pcs$1.09459
- भाग संख्या:
- STH275N8F7-6AG
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STH275N8F7-6AG electronic components. STH275N8F7-6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH275N8F7-6AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STH275N8F7-6AG उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STH275N8F7-6AG
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
180A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
193nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
13600pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
315W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
H2PAK-6
प्याकेज / केस :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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