SSM6L35FU(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1105454पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.03381
- 3,000 pcs$0.03364
- 6,000 pcs$0.03177
- 15,000 pcs$0.02897
- 30,000 pcs$0.02710
- 75,000 pcs$0.02430
- भाग संख्या:
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F) electronic components. SSM6L35FU(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6L35FU(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6L35FU(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM6L35FU(TE85L,F)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate, 1.2V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
180mA, 100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
9.5pF @ 3V
पावर - अधिकतम :
200mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
US6
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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- NTLUD3191PZTAG
- SI4226DY-T1-GE3
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- MMDF2N02ER2G
- IRF7317PBF
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- SIZ900DT-T1-GE3
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- BUK7K29-100EX
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- SIL2623-TP