भाग संख्या :
TP65H035WSQA
वर्णन :
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
टेक्नोलोजी :
GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
47A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.8V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
36nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1500pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
187W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247