TK16E60W5,S1VX मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2740पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.41905
- भाग संख्या:
- TK16E60W5,S1VX
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5,S1VX electronic components. TK16E60W5,S1VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16E60W5,S1VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK16E60W5,S1VX उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK16E60W5,S1VX
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
श्रृंखला :
DTMOSIV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
15.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
230 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 790µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
43nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1350pF @ 300V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
130W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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