Infineon Technologies - IRFR1018EPBF

KEY Part #: K6408050

IRFR1018EPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [762पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.74840
  • 10 pcs$0.66478
  • 100 pcs$0.52530
  • 500 pcs$0.40738
  • 1,000 pcs$0.30423

भाग संख्या:
IRFR1018EPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR1018EPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFR1018EPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 56A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2290pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-Pak
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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