BSC0921NDIATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [133174पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.27774
- 5,000 pcs$0.26663
- भाग संख्या:
- BSC0921NDIATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1 electronic components. BSC0921NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0921NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC0921NDIATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSC0921NDIATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET फिचर :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
17A, 31A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
8.9nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1025pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TISON-8
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- BSC0921NDIATMA1
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