SIZF906ADT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [122423पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.30213
- भाग संख्या:
- SIZF906ADT-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 electronic components. SIZF906ADT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF906ADT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF906ADT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIZF906ADT-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
श्रृंखला :
TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PowerPair® (6x5)
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