भाग संख्या :
IRFHS9301TRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Ta), 13A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
37 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
580pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-PQFN (2x2)
प्याकेज / केस :
6-PowerVDFN