Texas Instruments - CSD85301Q2T

KEY Part #: K6523206

CSD85301Q2T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [248727पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.16851
  • 250 pcs$0.16768
  • 500 pcs$0.14270
  • 750 pcs$0.12486
  • 1,250 pcs$0.11416

भाग संख्या:
CSD85301Q2T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD85301Q2T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD85301Q2T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate, 5V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 27 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.4nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 469pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2.3W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-WSON (2x2)

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