भाग संख्या :
SI5515CDC-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
800mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11.3nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
632pF @ 10V
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
1206-8 ChipFET™