Central Semiconductor Corp - CTLDM303N-M832DS TR

KEY Part #: K6523742

CTLDM303N-M832DS TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4064पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.15140

भाग संख्या:
CTLDM303N-M832DS TR
निर्माता:
Central Semiconductor Corp
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM303N-M832DS TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CTLDM303N-M832DS TR
निर्माता : Central Semiconductor Corp
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.6A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 590pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 1.65W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-TDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TLM832DS
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