Microsemi Corporation - APTSM120AM09CD3AG

KEY Part #: K6522079

APTSM120AM09CD3AG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [150पीसी स्टक]

  • 1 pcs$307.75101
  • 100 pcs$306.21991

भाग संख्या:
APTSM120AM09CD3AG
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTSM120AM09CD3AG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTSM120AM09CD3AG
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Silicon Carbide (SiC)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V (1.2kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 337A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 9mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1224nC @ 20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 23000pF @ 1000V
पावर - अधिकतम : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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