Vishay Siliconix - SI7925DN-T1-E3

KEY Part #: K6523970

[3988पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SI7925DN-T1-E3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and Thyristors - TRIACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7925DN-T1-E3 electronic components. SI7925DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7925DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7925DN-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SI7925DN-T1-E3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
    FET फिचर : Logic Level Gate
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.8A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    पावर - अधिकतम : 1.3W
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8 Dual
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8 Dual

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