SQJ968EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [178202पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.20756
- 3,000 pcs$0.17541
- भाग संख्या:
- SQJ968EP-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3 electronic components. SQJ968EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ968EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ968EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQJ968EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
23.5A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
33.6 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
714pF @ 30V
पावर - अधिकतम :
42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual
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