Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4055पीसी स्टक]

  • 100 pcs$97.63581

भाग संख्या:
APTMC60TL11CT3AG
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTMC60TL11CT3AG
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET फिचर : Silicon Carbide (SiC)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V (1.2kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 28A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 49nC @ 20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 950pF @ 1000V
पावर - अधिकतम : 125W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SP3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP3

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