Microsemi Corporation - APTM10HM19FT3G

KEY Part #: K6522651

APTM10HM19FT3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1796पीसी स्टक]

  • 1 pcs$24.23878
  • 100 pcs$24.11819

भाग संख्या:
APTM10HM19FT3G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM19FT3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM10HM19FT3G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 70A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 200nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5100pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 208W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SP3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP3

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