SIZF916DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [120687पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.30647
- भाग संख्या:
- SIZF916DT-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH DUAL 30V.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 electronic components. SIZF916DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF916DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF916DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIZF916DT-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH DUAL 30V
श्रृंखला :
TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PowerPair® (6x5)
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