Infineon Technologies - BSO330N02KGFUMA1

KEY Part #: K6523493

[4147पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    BSO330N02KGFUMA1
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1 electronic components. BSO330N02KGFUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO330N02KGFUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSO330N02KGFUMA1 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : BSO330N02KGFUMA1
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
    श्रृंखला : OptiMOS™
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
    FET फिचर : Logic Level Gate
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5.4A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 20µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.9nC @ 4.5V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 730pF @ 10V
    पावर - अधिकतम : 1.4W
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-DSO-8

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