Vishay Siliconix - SIS903DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525335

SIS903DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [201147पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18388

भाग संख्या:
SIS903DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS903DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIS903DN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
श्रृंखला : TrenchFET® Gen III
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 42nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2565pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8 Dual

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