Diodes Incorporated - DMG5802LFX-7

KEY Part #: K6524942

DMG5802LFX-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [325631पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11359
  • 3,000 pcs$0.06069

भाग संख्या:
DMG5802LFX-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG5802LFX-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMG5802LFX-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 24V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 31.3nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1066.4pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 980mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-VFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : W-DFN5020-6

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