Vishay Siliconix - SIZ346DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523027

SIZ346DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [316935पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.11670

भाग संख्या:
SIZ346DT-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ346DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIZ346DT-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
श्रृंखला : PowerPAIR®, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 16W, 16.7W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-Power33 (3x3)

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