[3770पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF9910PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9910PBF electronic components. IRF9910PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9910PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9910PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF9910PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A, 12A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.55V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
900pF @ 10V
पावर - अधिकतम :
2W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
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तातो पार्ट्स
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