[3914पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF8513PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF8513PBF electronic components. IRF8513PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8513PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF8513PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF8513PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8A, 11A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
766pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
1.5W, 2.4W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- VMM85-02F
- AOC3870A
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- IRF7338PBF
- US5K3TR
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- FDC3601N
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- BSL806NH6327XTSA1
- PMDXB600UNELZ
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- 2N7002PS,125
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