ON Semiconductor - NVMFD5875NLT1G

KEY Part #: K6522697

NVMFD5875NLT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [180797पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20458
  • 1,500 pcs$0.18598

भाग संख्या:
NVMFD5875NLT1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5875NLT1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NVMFD5875NLT1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 7A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 33 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 20nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 540pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 3.2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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