IRF7341GTRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [100763पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.38805
- 4,000 pcs$0.37253
- भाग संख्या:
- IRF7341GTRPBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 55V 5.1A.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7341GTRPBF electronic components. IRF7341GTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7341GTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7341GTRPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF7341GTRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 55V 5.1A
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.1A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
44nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
780pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
2.4W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
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- IRF7338PBF
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