भाग संख्या :
APTM100H46FT3G
निर्माता :
Microsemi Corporation
वर्णन :
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
FET प्रकार :
4 N-Channel (H-Bridge)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V (1kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
19A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
260nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6800pF @ 25V
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SP3