Microsemi Corporation - APTM100H46FT3G

KEY Part #: K6522620

APTM100H46FT3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1855पीसी स्टक]

  • 1 pcs$23.33434
  • 100 pcs$23.06400

भाग संख्या:
APTM100H46FT3G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H46FT3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM100H46FT3G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
श्रृंखला : POWER MOS 8™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V (1kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 19A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 260nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6800pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 357W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SP3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP3

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