EPC - EPC2103ENGRT

KEY Part #: K6523239

EPC2103ENGRT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [19462पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.34097
  • 500 pcs$2.32932

भाग संख्या:
EPC2103ENGRT
निर्माता:
EPC
विस्तृत विवरण:
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2103ENGRT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : EPC2103ENGRT
निर्माता : EPC
वर्णन : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
श्रृंखला : eGaN®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 23A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 7mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7600pF @ 40V
पावर - अधिकतम : -
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : Die
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die
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  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

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  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

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  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

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