TK10A60W,S4X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [57093पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.71924
- 2,500 pcs$0.71567
- भाग संख्या:
- TK10A60W,S4X
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4X electronic components. TK10A60W,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10A60W,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK10A60W,S4X उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK10A60W,S4X
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
श्रृंखला :
DTMOSIV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.7V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
720pF @ 300V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- IPC90R500C3X1SA1
- BUK9214-80EJ
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- IRFH5303TRPBF
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- TPCC8003-H(TE12LQM
- NTLUS3192PZTBG
- SI3853DV-T1-E3
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- FDS7096N3
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- NP90N055MUK-S18-AY
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- IRFR024
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- STI5N52U
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