Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A60W,S4X

KEY Part #: K6418269

TK10A60W,S4X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [57093पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.71924
  • 2,500 pcs$0.71567

भाग संख्या:
TK10A60W,S4X
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A60W,S4X उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK10A60W,S4X
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.7V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 720pF @ 300V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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