SI4808DY-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [103241पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.38063
- 2,500 pcs$0.37874
- भाग संख्या:
- SI4808DY-T1-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4808DY-T1-E3 electronic components. SI4808DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4808DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4808DY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI4808DY-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
श्रृंखला :
LITTLE FOOT®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.7A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
800mV @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
1.1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- VMM85-02F
- AOC3870A
- BUK9MRR-65PKK,518
- FDS8958B_G
- NTUD3129PT5G
- AO4800L
- ECH8601M-C-TL-H
- APTM10DHM09T3G
- BSL806NL6327HTSA1
- AON7820
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- BUK9K30-80EX
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- FDC3601N
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- BSL806NH6327XTSA1
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- 2N7002PSZ