भाग संख्या :
IRF6662TR1PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8.3A (Ta), 47A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.9V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1360pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET™ MZ
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric MZ