Infineon Technologies - IRF7341TRPBF

KEY Part #: K6524930

IRF7341TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [170908पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.37002
  • 100 pcs$0.27665
  • 500 pcs$0.21455
  • 1,000 pcs$0.16938

भाग संख्या:
IRF7341TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7341TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7341TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.7A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 36nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 740pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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