Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N61NU,LF

KEY Part #: K6523082

SSM6N61NU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [622023पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06574
  • 3,000 pcs$0.06541

भाग संख्या:
SSM6N61NU,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6N61NU,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6N61NU,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate, 1.5V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 410pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-UDFNB (2x2)

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