Nexperia USA Inc. - PMCPB5530X,115

KEY Part #: K6525082

PMCPB5530X,115 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [522378पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07116
  • 3,000 pcs$0.07081

भाग संख्या:
PMCPB5530X,115
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMCPB5530X,115 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMCPB5530X,115
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : -
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 660pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 490mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-HUSON-EP (2x2)

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