Infineon Technologies - IPG20N06S2L35AATMA1

KEY Part #: K6524960

IPG20N06S2L35AATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [138965पीसी स्टक]

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  • 5,000 pcs$0.22537

भाग संख्या:
IPG20N06S2L35AATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S2L35AATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPG20N06S2L35AATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2N-CH 8TDSON
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 27µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 23nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 790pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 65W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TDSON-8-10

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