SSM6P35FE(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [755728पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05411
- 4,000 pcs$0.05384
- भाग संख्या:
- SSM6P35FE(TE85L,F)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE(TE85L,F) electronic components. SSM6P35FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6P35FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6P35FE(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM6P35FE(TE85L,F)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
12.2pF @ 3V
पावर - अधिकतम :
150mW
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6 (1.6x1.6)
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