Nexperia USA Inc. - PHKD6N02LT,518

KEY Part #: K6524517

PHKD6N02LT,518 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3805पीसी स्टक]

  • 10,000 pcs$0.14100

भाग संख्या:
PHKD6N02LT,518
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHKD6N02LT,518 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PHKD6N02LT,518
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
श्रृंखला : TrenchMOS™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 10.9A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 15.3nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 950pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 4.17W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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