ON Semiconductor - EFC6602R-A-TR

KEY Part #: K6523733

EFC6602R-A-TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4066पीसी स्टक]

  • 5,000 pcs$0.15623

भाग संख्या:
EFC6602R-A-TR
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH EFCP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6602R-A-TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : EFC6602R-A-TR
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET 2N-CH EFCP
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर : Logic Level Gate, 2.5V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : -
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-XFBGA, FCBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : EFCP2718-6CE-020

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