ON Semiconductor - 5LN01M-TL-H

KEY Part #: K6402261

5LN01M-TL-H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2766पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
5LN01M-TL-H
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 50V 100MA SC59.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - TRIACs and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

5LN01M-TL-H उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 5LN01M-TL-H
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.57nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6.6pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-MCP
प्याकेज / केस : SC-70, SOT-323

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