भाग संख्या :
VN10KN3-G-P013
निर्माता :
Microchip Technology
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
310mA (Tj)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
60pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-92-3
प्याकेज / केस :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)