Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N15AFU,LF

KEY Part #: K6525536

SSM6N15AFU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1508409पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02711
  • 3,000 pcs$0.02697

भाग संख्या:
SSM6N15AFU,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6N15AFU,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6N15AFU,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 13.5pF @ 3V
पावर - अधिकतम : 300mW
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : US6

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